Поистине, для тех, кто уверовал, делал добрые дела, выстаивал молитву и давал очистительный расход, ждет награда Господа.
Не познают они страха и печали.
(2:277)
Остерегайтесь (наказания Судного) Дня, в который вы будете возвращены к Богу.
Затем каждой душе полностью воздастся за то, что она приобрела, и они (души) не будут обижены.
(2:281)
Господи наш! Не уклоняй наши сердца после того, как Ты вывел нас на прямой путь,
и дай нам от Тебя милость: ведь Ты, поистине, - Податель!
(3:8)
Энергонезависимую органическую память разработали специалисты
Токийского университета (University of Tokyo). Базовая структура
новинки повторяет строение обычной флеш-памяти, но сделана она из
гибкого органического материала.
Обычная флеш-память хранит
информацию на кремниевых транзисторах. Широкое распространение она
получила благодаря тому, что данные можно записать и считать быстро,
при этом вся информация сохраняется на носителе даже при выключенном
питании. Сейчас такими чипами оборудованы портативные видеокамеры и
MP3-плееры, карты памяти, не говоря уже о вездесущих USB-накопителях.
Группа
профессора Такао Сомеи (Takao Someya) решила построить органический
аналог флеш-памяти. В устройстве на подложке из полиэтилен-нафталата
(PEN) расположился массив ячеек памяти (26 x 26 штук).
Подложка
настолько гибкая, что может быть согнута до шестимиллиметрового
радиуса, при этом не возникает никаких механических или электрических
помех, пишут учёные в статье в журнале Science.
Устройство
называется "органической флеш-памятью", потому что основано на
транзисторах с плавающим затвором (floating-gate transistor), тем же
типом, что используется в кремниевой флеш-памяти.
Плавающий
затвор (FG) отделён от всех остальных частей транзистора непроводящим
материалом, который изолирует FG и позволяет ему сохранять заряд, а
значит, и данные: в кремниевых устройствах – на годы. При приложении
высокого напряжения электрический заряд "записывается" на FG и остаётся
там, пока не прикладывается напряжение противоположной полярности
(заряд "стирается").
Сомея отмечает, что основное препятствие на
пути инженеров, желающих создать органический аналог флеш-памяти, —
необходимость подобрать подходящий изолирующий материал. С одной
стороны, его слой должен быть достаточно тонким, чтобы пропустить заряд
к плавающему затвору, с другой – он не должен плавиться при сборке
изделия.
Новая гибкая флеш-память была оборудована резиновыми
датчиками давления, передающими информацию соответствующим ячейкам
памяти. На графиках справа показаны отпечатки, оставленные роликом
липкой ленты и пальцами (в середине – спустя 20 минут, справа – спустя
12 часов). Видно, что сохранённые данные постепенно "деградируют" (фото
Science/AAAS).
Японцы в качестве диэлектрического затвора
использовали самоорганизующийся монослой (SAM) толщиной 2 нанометра и
слой оксида алюминия толщиной 4 нм (последний образовывался при
окислении поверхности алюминиевого плавающего затвора).
Чтобы
стереть данные, необходимо приложить напряжение 6 вольт, чтобы считать
– 1 В. Эти значения ниже параметров, полученных ранее, что является
несомненным достоинством новинки.
Количество поддерживаемых
циклов записи-перезаписи памяти составляет около 1000, что значительно
ниже обычных для кремниевых аналогов 100 тысяч. Ещё одним недостатком
органической флеш-памяти является короткий срок хранения данных – всего
24 часа. Однако японские учёные собираются продлить его, использовав
SAM с более длинными молекулами, а также уменьшив размеры самих
транзисторов.
Кстати, группа Сомеи известна читателям Membrana
по разработке ультракомпактного сканера и электронной кожи для роботов,
ощущающей давление и температуру.
Газета 
